Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196314| Заглавие документа: | Экранирование электростатического ноля в кристаллах c прыжковой миграцией электронов по примесям |
| Авторы: | Вырко, Сергей Александрович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2002 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 2. – С. 55-60. |
| Аннотация: | The expressions for Debye - HUckel and Schottky - Mott screening length of external electrostatic field in the crystal semiconductor with hopping migrations of electrons (holes) over hydrogen-like donors (acceptors) is obtained. The existence of a “hidden” conducting layer in the hopping conductivity regime for semiconductors with small and high compensation degrees is predicted. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196314 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.