Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/196314Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вырко, Сергей Александрович | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-29T11:24:08Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-29T11:24:08Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2002. - № 2. – С. 55-60. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/196314 | - |
| dc.description.abstract | The expressions for Debye - HUckel and Schottky - Mott screening length of external electrostatic field in the crystal semiconductor with hopping migrations of electrons (holes) over hydrogen-like donors (acceptors) is obtained. The existence of a “hidden” conducting layer in the hopping conductivity regime for semiconductors with small and high compensation degrees is predicted. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Экранирование электростатического ноля в кристаллах c прыжковой миграцией электронов по примесям | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2002, №2 (май) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.