Logo BSU

Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Темы ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 10 из 286
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003A semiclassical approach to Coulomb scattering of conduction electrons on ionized impurities in nondegenerate semiconductorsPoklonski, N. A.; Vyrko, S. A.; Yatskevich, V. I.; Kocherzhenko, A. A.
2016A Study of Defects and Impurities in Doped Detonation Nanodiamonds by EPR, Raman Scattering, and XRD MethodsDolmatov, V. Yu.; Lapchuk, N. M.; Lapchuk, T. M.; Nguyen, B. T. T.; Myllymäki, V.; Vehanen, A.; Yakovlev, R. Yu.
2013AA stacking, tribological and electronic properties of double-layer graphene with krypton spacerPopov, A. M.; Lebedeva, I. V.; Knizhnik, A. A.; Lozovik, Yu. E.; Potapkin, B. V.; Poklonski, N. A.; Siahlo, A. I.; Vyrko, S. A.
1-янв-2023Accumulation of Tritium and Other Undesirable β-Emitting Radionuclides in the Production of Radiopharmaceuticals for PET DiagnosticsBrinkevich, S. D.; Brinkevich, D. I.; Kiyavitskaya, H. I.; Kiyko, A.N.
2025Activation energy of DC hopping conductivity of lightly doped weakly compensated crystalline semiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2024Activation Energy of DC Hopping Conductivity of Lightly Doped Weakly Compensated Crystalline SemiconductorsPoklonski, N. A.; Anikeev, I. I.; Vyrko, S. A.; Zabrodskii, A. G.
2020Activation Radionuclides in the Process of Irradiation of a Niobium Target at the Cyclone 18/9 HC CyclotroneBrinkevich, S.D.; Brinkevich, D.I.; Kiyko, A.N.
2021Adhesion of Irradiated Diazoquinone–Novolac Photoresist Films to Single-Crystal SiliconVabishchevich, S. A.; Brinkevich, S. D.; Vabishchevich, N. V.; Brinkevich, D. I.; Prosolovich, V. S.
2020Autoradiolysis of Radiopharmaceutical 2-[18F]Fluorodeoxyglucose with Activity Concentrations of 4–5.5 GBq/mLBrinkevich, S.D.; Tugai, O.V.
2012Bistable states of defects in graphenePoklonsky, N.A.; Vyrko, S.A.; Vlassov, A.T.