Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Авторы Шпаковский, С. В.
Результаты 8 - 8 из 8
< предыдущий
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
---|---|---|---|
2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |