Перегрев активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой: аннотация к дипломной работе / Алексей Александрович Маковский; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – ст. преподаватель Стецик В. М.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/174066

Title:	Перегрев активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой: аннотация к дипломной работе / Алексей Александрович Маковский; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – ст. преподаватель Стецик В. М.
Authors:	Маковский, А. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	14-Jun-2017
Abstract:	В процессе работы проведен анализ перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой на основе GaAs/InGaP/InGaAs-гетероструктуры. Получены спектральные и ватт-амперные характеристики, выявлен наилучший метод контроля перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/174066
Appears in Collections:	Радиофизика. 2017

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Реферат-Маковский.pdf		156,07 kB	Adobe PDF	View/Open