Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/174066Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Маковский, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-06-14T08:26:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-06-14T08:26:22Z | - |
| dc.date.issued | 2017-06-14 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/174066 | - |
| dc.description.abstract | В процессе работы проведен анализ перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой на основе GaAs/InGaP/InGaAs-гетероструктуры. Получены спектральные и ватт-амперные характеристики, выявлен наилучший метод контроля перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Перегрев активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой: аннотация к дипломной работе / Алексей Александрович Маковский; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – ст. преподаватель Стецик В. М. | ru |
| dc.type | annotation | ru |
| Располагается в коллекциях: | Радиофизика. 2017 | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Реферат-Маковский.pdf | 156,07 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.