Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/174066| Заглавие документа: | Перегрев активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой: аннотация к дипломной работе / Алексей Александрович Маковский; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий, Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники; науч. рук. – ст. преподаватель Стецик В. М. |
| Авторы: | Маковский, А. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 14-июн-2017 |
| Аннотация: | В процессе работы проведен анализ перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой на основе GaAs/InGaP/InGaAs-гетероструктуры. Получены спектральные и ватт-амперные характеристики, выявлен наилучший метод контроля перегрева активной области полупроводникового лазера с вытекающей модой. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/174066 |
| Располагается в коллекциях: | Радиофизика. 2017 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Реферат-Маковский.pdf | 156,07 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.