Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях

Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Янковский, Ю. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/164185

Title:	Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях
Authors:	Просолович, В. С. Бринкевич, Д. И. Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. Янковский, Ю. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 153–155.
Abstract:	Методами атомно-силовой микроскопии, склерометрии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120, облученные γ-квантами 60Co и имплантированные ионами В+ и Р+. Показано, что в процессе имплантации происходит модификация морфологии поверхности фоторезиста, обусловленная релаксацией упругих напряжений, и радиационно-химическими процессами в слое фоторезиста. Процессы радиационного упрочнения при ионной имплантации структур фоторезист – Si протекают далеко за областью проецированного пробега ионов. Полученные экспериментальные результаты объяснены процессами радиационного сшивания молекул полимера за областью пробега ионов, усадкой полимерной пленки и ее карбонизацией в области пробега ионов.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/164185
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований.
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
С.153-155_Просолович.pdf		455,23 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar