Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействиях

Abstract

Методами атомно-силовой микроскопии, склерометрии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120, облученные γ-квантами 60Co и имплантированные ионами В+ и Р+. Показано, что в процессе имплантации происходит модификация морфологии поверхности фоторезиста, обусловленная релаксацией упругих напряжений, и радиационно-химическими процессами в слое фоторезиста. Процессы радиационного упрочнения при ионной имплантации структур фоторезист – Si протекают далеко за областью проецированного пробега ионов. Полученные экспериментальные результаты объяснены процессами радиационного сшивания молекул полимера за областью пробега ионов, усадкой полимерной пленки и ее карбонизацией в области пробега ионов.