Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоем

Новиков, А. Г.; Батулев, А. А.; Гайдук, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/163839

Title:	Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоем
Authors:	Новиков, А. Г. Батулев, А. А. Гайдук, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2016
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 105–107.
Abstract:	Целью настоящей работы является изучение процессов высокотемпературной карбидизации кремниевых пластин с эпитаксиальными буферными слоями Si1-xGex различного состава.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/163839
ISBN:	978-985-553-403-8
Sponsorship:	Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.2.03.1).
Appears in Collections:	2016. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
С.105-107_Новиков.pdf		485,68 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar