Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163839
Заглавие документа: | Формирование тонких слоев SiC на кремниевых пластинах с кремний-германиевым буфферным слоем |
Авторы: | Новиков, А. Г. Батулев, А. А. Гайдук, П. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2016 |
Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 105–107. |
Аннотация: | Целью настоящей работы является изучение процессов высокотемпературной карбидизации кремниевых пластин с эпитаксиальными буферными слоями Si1-xGex различного состава. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163839 |
ISBN: | 978-985-553-403-8 |
Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. Работа выполнена при частичной поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.2.03.1). |
Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
С.105-107_Новиков.pdf | 485,68 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.