Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/15917| Title: | Влияние низкотемпературной гидрогенизации на спектры фотоЭДС пластин кремния |
| Authors: | Дроздов, Н. А. Зинчук, О. В. Мазаник, А. В. Федотов, А. К. Чигирь, С. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | Jan-2006 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 1. – С. 46-51. |
| Abstract: | The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV) spectra of standard Si wafers was investigated. It was shown that the potential barrier is formed on the hydrogenated side of p-type wafers and this results in the appearance of SPV signal comparable with that of silicon photodiodes. = Исследовано влияние гидрогенизации в области температур 30-350 °С на спектры фотоЭДС стандартных пластин кремния, выращенного методом Чохральского. Показано, что на гидрогени-зированной стороне пластин кремния p-типа формируется потенциальный барьер, приводящий к возникновению сигнала фотоЭДС, сопоставимого по форме спектра и интенсивности с аналогичным сигналом кремниевых фотодиодов. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/15917 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2006, №1 (январь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.