Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/15917
Заглавие документа: | Влияние низкотемпературной гидрогенизации на спектры фотоЭДС пластин кремния |
Авторы: | Дроздов, Н. А. Зинчук, О. В. Мазаник, А. В. Федотов, А. К. Чигирь, С. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | янв-2006 |
Издатель: | БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 1. – С. 46-51. |
Аннотация: | The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV) spectra of standard Si wafers was investigated. It was shown that the potential barrier is formed on the hydrogenated side of p-type wafers and this results in the appearance of SPV signal comparable with that of silicon photodiodes. = Исследовано влияние гидрогенизации в области температур 30-350 °С на спектры фотоЭДС стандартных пластин кремния, выращенного методом Чохральского. Показано, что на гидрогени-зированной стороне пластин кремния p-типа формируется потенциальный барьер, приводящий к возникновению сигнала фотоЭДС, сопоставимого по форме спектра и интенсивности с аналогичным сигналом кремниевых фотодиодов. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/15917 |
ISSN: | 0321-0367 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2006, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.