Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/15917
Заглавие документа: Влияние низкотемпературной гидрогенизации на спектры фотоЭДС пластин кремния
Авторы: Дроздов, Н. А.
Зинчук, О. В.
Мазаник, А. В.
Федотов, А. К.
Чигирь, С. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: янв-2006
Издатель: БГУ
Библиографическое описание источника: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 1. – С. 46-51.
Аннотация: The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV) spectra of standard Si wafers was investigated. It was shown that the potential barrier is formed on the hydrogenated side of p-type wafers and this results in the appearance of SPV signal comparable with that of silicon photodiodes. = Исследовано влияние гидрогенизации в области температур 30-350 °С на спектры фотоЭДС стандартных пластин кремния, выращенного методом Чохральского. Показано, что на гидрогени-зированной стороне пластин кремния p-типа формируется потенциальный барьер, приводящий к возникновению сигнала фотоЭДС, сопоставимого по форме спектра и интенсивности с аналогич­ным сигналом кремниевых фотодиодов.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/15917
ISSN: 0321-0367
Располагается в коллекциях:2006, №1 (январь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
46-51.pdf303,65 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.