Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/15917Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Дроздов, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Зинчук, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Мазаник, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Федотов, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Чигирь, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-10-03T07:33:39Z | - |
| dc.date.available | 2012-10-03T07:33:39Z | - |
| dc.date.issued | 2006-01 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 1. – С. 46-51. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/15917 | - |
| dc.description.abstract | The influence of hydrogenation in the temperature range 30 350 °C on the surface photovolt-age (SPV) spectra of standard Si wafers was investigated. It was shown that the potential barrier is formed on the hydrogenated side of p-type wafers and this results in the appearance of SPV signal comparable with that of silicon photodiodes. = Исследовано влияние гидрогенизации в области температур 30-350 °С на спектры фотоЭДС стандартных пластин кремния, выращенного методом Чохральского. Показано, что на гидрогени-зированной стороне пластин кремния p-типа формируется потенциальный барьер, приводящий к возникновению сигнала фотоЭДС, сопоставимого по форме спектра и интенсивности с аналогичным сигналом кремниевых фотодиодов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Влияние низкотемпературной гидрогенизации на спектры фотоЭДС пластин кремния | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2006, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.