Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/111802| Заглавие документа: | Импеданс кремниевых диодов с p+ – n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота: общая характеристика магистерской диссертации / Нгуен Тхи Тхань Бинь; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. Горбачук Н.И. |
| Авторы: | Нгуен Тхи Тхань Бинь |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/111802 |
| Располагается в коллекциях: | 2014 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Thanh Binh.pdf | 137,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.