Импеданс кремниевых диодов с p+ – n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота: общая характеристика магистерской диссертации / Нгуен Тхи Тхань Бинь; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. Горбачук Н.И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111802

Title:	Импеданс кремниевых диодов с p+ – n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота: общая характеристика магистерской диссертации / Нгуен Тхи Тхань Бинь; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. Горбачук Н.И.
Authors:	Нгуен Тхи Тхань Бинь
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2014
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/111802
Appears in Collections:	2014

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Thanh Binh.pdf		137,61 kB	Adobe PDF	View/Open