Импеданс кремниевых диодов с p+ – n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота: общая характеристика магистерской диссертации / Нгуен Тхи Тхань Бинь; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. Горбачук Н.И.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/111802

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Нгуен Тхи Тхань Бинь	-
dc.date.accessioned	2015-03-25T14:43:48Z	-
dc.date.available	2015-03-25T14:43:48Z	-
dc.date.issued	2014	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/111802	-
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Импеданс кремниевых диодов с p+ – n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота: общая характеристика магистерской диссертации / Нгуен Тхи Тхань Бинь; БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники; науч. рук. Горбачук Н.И.	ru
dc.type	annotation	ru
Располагается в коллекциях:	2014

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
Thanh Binh.pdf		137,61 kB	Adobe PDF	Открыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.