Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108011| Заглавие документа: | Влияние легирования переходными металлами на диэлектрические характеристики кристаллов TlGaS2 |
| Авторы: | Гуртовой, В. Г. Шелег, А. У. Мустафаева, С. Н. Керимова, Э. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Аннотация: | Целью данной работы было установление закономерностей изменения электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов TlGaS2, легированных переходными элементами, в зависимости от температуры и природы легирующего химического элемента. Впервые проведены исследования удельной диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlGaS2, TlGa0.995Cr0.005S2 и TlGa0.95Mn0.05S2 в широком интервале температур. Подтверждено наличие фазовых переходов второго рода соразмерная – несоразмерная фаза в области температур ~ 173 К. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 хромом (0.5 ат. %) и марганцем (5 ат. %) приводит к некоторому уменьшению значений диэлектрической проницаемости. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108011 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| p.115-118.pdf | 365,91 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.