Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/108011| Title: | Влияние легирования переходными металлами на диэлектрические характеристики кристаллов TlGaS2 |
| Authors: | Гуртовой, В. Г. Шелег, А. У. Мустафаева, С. Н. Керимова, Э. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | Целью данной работы было установление закономерностей изменения электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов TlGaS2, легированных переходными элементами, в зависимости от температуры и природы легирующего химического элемента. Впервые проведены исследования удельной диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlGaS2, TlGa0.995Cr0.005S2 и TlGa0.95Mn0.05S2 в широком интервале температур. Подтверждено наличие фазовых переходов второго рода соразмерная – несоразмерная фаза в области температур ~ 173 К. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 хромом (0.5 ат. %) и марганцем (5 ат. %) приводит к некоторому уменьшению значений диэлектрической проницаемости. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/108011 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.115-118.pdf | 365,91 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.