Влияние легирования переходными металлами на диэлектрические характеристики кристаллов TlGaS2

Abstract

Целью данной работы было установление закономерностей изменения электропроводности и диэлектрической проницаемости кристаллов TlGaS2, легированных переходными элементами, в зависимости от температуры и природы легирующего химического элемента. Впервые проведены исследования удельной диэлектрической проницаемости и электропроводности монокристаллов TlGaS2, TlGa0.995Cr0.005S2 и TlGa0.95Mn0.05S2 в широком интервале температур. Подтверждено наличие фазовых переходов второго рода соразмерная – несоразмерная фаза в области температур ~ 173 К. Показано, что легирование кристаллов TlGaS2 хромом (0.5 ат. %) и марганцем (5 ат. %) приводит к некоторому уменьшению значений диэлектрической проницаемости.