Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107980| Title: | Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом |
| Authors: | Сохраби, Анараки Х. Гапоненко, Н. В. Руденко, М. В. Завадский, С. М. Голосов, Д. А. Гук, А. Ф. Колос, В. В. Петлицкий, А. Н. Турцевич, А. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В данной работе определены значения диэлектрической проницаемости (ε) и тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) тонкопленочных конденсаторов на основе пленок титаната стронция, полученных золь-гель методом (ксерогелей), сформированных на структуре кремний/титан/платина. Исходными компонентами золей являлись ацетат гидрат стронция Sr(CH3COO)2•1/2H2O и тетраизопропоксид титана Ti(OCH(CH3)2)4. Для изготовления конденсаторной структуры на подложке кремния формировались слои оксида титана и платины с последующей термообработкой в атмосфере кислорода при температуре не ниже 450 °С в течение 30 мин. Разработана лабораторная технология формирования многослойных пленочных конденсаторов на основе ксерогелей титаната стронция со значением диэлектрической проницаемости в пределах 150 – 190. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107980 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.84-86.pdf | 1,17 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.