Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методом

Abstract

В данной работе определены значения диэлектрической проницаемости (ε) и тангенса угла диэлектрических потерь (tgδ) тонкопленочных конденсаторов на основе пленок титаната стронция, полученных золь-гель методом (ксерогелей), сформированных на структуре кремний/титан/платина. Исходными компонентами золей являлись ацетат гидрат стронция Sr(CH3COO)2•1/2H2O и тетраизопропоксид титана Ti(OCH(CH3)2)4. Для изготовления конденсаторной структуры на подложке кремния формировались слои оксида титана и платины с последующей термообработкой в атмосфере кислорода при температуре не ниже 450 °С в течение 30 мин. Разработана лабораторная технология формирования многослойных пленочных конденсаторов на основе ксерогелей титаната стронция со значением диэлектрической проницаемости в пределах 150 – 190.