Logo BSU

Просмотр Авторы Ларсен, А. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 11 из 11
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2007Катодолюминесценция в слоях анодно-окисленного Si1-xGex сплаваНовиков, А. Г.; Казючиц, Н. М.; Ларсен, А. Н.; Хансен, Дж. Л.; Гайдук, П. И.
2000Концентрационные зависимости подвижности носителей заряда и удельного сопротивления в имплантированных сплавах Si1-xGexГайдук, И. И.; Чернявская, Ю. В.; Ларсен, А. Н.; Тишков, В. С.; Комаров, Ф. Ф.
1999Морфология поверхности кристаллов германия, облученных тяжелыми ионами средних энергийТишков, В. С.; Гайдук, П. И.; Ширяев, С. Ю.; Ларсен, А. Н.
1998Поведение мышьяка в сплавах Si1-xGex при быстром термическом отжигеГайдук, П. И.; Тишков, В. С.; Ширяев, С. Ю.; Ларсен, А. Н.; Комаров, Ф. Ф.
2003Разделение дефектов в имплантированных многослойных структурах Si/SiGeГайдук, П. И.; Веш, В.; Вендлер, Е.; Ларсен, А. Н.; Хансен, Дж. Л.
2007Распад пересыщенных сплавов SiO2(Ge) при термической обработкеГайдук, А. П.; Ларсен, А. Н.; Шевалье, Ж.; Гайдук, П. И.
2007Сегрегация мышьяка и GeAs преципитация в in-situ имплантированных мышьяком слоях Si0,5Ge0,5 сплаваЯцко, К. В.; Хансен, Дж. Л.; Ларсен, А. Н.
сен-2008Формирование квантоворазмерных структур на основе сплавов GеSnГайдук, П. И.; Прокопьев, С. Л.; Хансен, Д. Л.; Ларсен, А. Н.
2007Формирование нанокластеров в слоях SiО2, имплантированных ионами Ge и SnПрокопьев, С. Л.; Гайдук, П. И.; Веш, В.; Ларсен, А. Н.
мая-2007Формирование нанокристаллов Ge в слоях SiO2 при быстрой термической обработке слоев Si/GeГайдук, П. И.; Ларсен, А. Н.; Норманд, П.; Клавари, А.
1997Эволюция дефектов структуры в имплантированных мышьяком слоях Si1-xGexГайдук, П. И.; Тишков, В. С.; Ширяев, С. Ю.; Ларсен, А. Н.; Комаров, Ф. Ф.