Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223774
Заглавие документа: | Формирование нанокластеров в слоях SiО2, имплантированных ионами Ge и Sn |
Авторы: | Прокопьев, С. Л. Гайдук, П. И. Веш, В. Ларсен, А. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2007 |
Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 268-270. |
Аннотация: | Термические слои SiO2 толщиной 200 нм последовательно имплантировались ионами Ge+ и Sn+. Полученные структуры SiO2(Ge+Sn)/Si отжигались при 400-900°С в течение 30 мин. С помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и электронной дифракции обнаружено, что слои SiO2 содержат нанокпастеры Ge и Sn. Средний размер и плотность нанокластеров варьируются в зависимости от условий термообработки и составляют 10-20 нм и соответственно, c помощью резерфордовского обратного рассеяния (POP) показано, что после термообработки при 400-800°С видимого перераспределения Ge и Sn не происходит и только при 900°С имеет место небольшая сегрегация (оттеснение) примесей к границе раздела SiO2/Si. Спектры катодолюминесценции (КЛ) от структур SiO2(Ge+Sn)/Si содержат интенсивные пики в синей и красной областях спектра. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223774 |
ISBN: | 978-985-476-530-3 |
Располагается в коллекциях: | 2007. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
268-270.pdf | 612 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.