Формирование нанокластеров в слоях SiО2, имплантированных ионами Ge и Sn

Abstract

Термические слои SiO2 толщиной 200 нм последовательно имплантировались ионами Ge+ и Sn+. Полученные структуры SiO2(Ge+Sn)/Si отжигались при 400-900°С в течение 30 мин. С помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и электронной дифракции обнаружено, что слои SiO2 содержат нанокпастеры Ge и Sn. Средний размер и плотность нанокластеров варьируются в зависимости от условий термообработки и составляют 10-20 нм и соответственно, c помощью резерфордовского обратного рассеяния (POP) показано, что после термообработки при 400-800°С видимого перераспределения Ge и Sn не происходит и только при 900°С имеет место небольшая сегрегация (оттеснение) примесей к границе раздела SiO2/Si. Спектры катодолюминесценции (КЛ) от структур SiO2(Ge+Sn)/Si содержат интенсивные пики в синей и красной областях спектра.