Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/195089| Заглавие документа: | Концентрационные зависимости подвижности носителей заряда и удельного сопротивления в имплантированных сплавах Si1-xGex |
| Авторы: | Гайдук, И. И. Чернявская, Ю. В. Ларсен, А. Н. Тишков, В. С. Комаров, Ф. Ф. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2000 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3. – С. 18-22. |
| Аннотация: | Carrier mobility and resistivity of epitaxially grown Si1-xGex layers are investigated by differential Hall measurements. The layers of Si1-xGex alloy were epitaxially grown by MBB on Si waters. Implantation of As (8-1015 cm -2) as well as rapid thermal annealing were applied for alloy doping. The dependence of carrier mobility and resistivity are obtained as a function of Si1-xGex commposition. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/195089 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2000, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.