Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/195089Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Чернявская, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Ларсен, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Тишков, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-15T12:23:41Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-15T12:23:41Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 3. – С. 18-22. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/195089 | - |
| dc.description.abstract | Carrier mobility and resistivity of epitaxially grown Si1-xGex layers are investigated by differential Hall measurements. The layers of Si1-xGex alloy were epitaxially grown by MBB on Si waters. Implantation of As (8-1015 cm -2) as well as rapid thermal annealing were applied for alloy doping. The dependence of carrier mobility and resistivity are obtained as a function of Si1-xGex commposition. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Концентрационные зависимости подвижности носителей заряда и удельного сопротивления в имплантированных сплавах Si1-xGex | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2000, №3 (сентябрь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.