Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206853| Заглавие документа: | Разделение дефектов в имплантированных многослойных структурах Si/SiGe |
| Другое заглавие: | Defect separation in implanted multilayer SiGe/Si structures / P.I.Gaiduk, W.Wesch, E.Wertdler, A.N.Larsen, J.L.Hansen |
| Авторы: | Гайдук, П. И. Веш, В. Вендлер, Е. Ларсен, А. Н. Хансен, Дж. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 111-113. |
| Аннотация: | Исследованы процессы эволюции дефектов в многослойных Si/SiGe структурах при ионной имплантации и отжиге. Сообщается о самоорганизованном формировании сферических пузырей после имплантации 800 кэВ Ge* или As* ионов и последующего быстрого термического отжига. Пузыри локализованы в приповерхностной области (<Rp/2), имеют нанометровые размеры и собраны исключительно в упруго-деформированных слоях SiGe. Результаты исследований обсуждаются с учетом пространственного разделения дефектов вакансионного и междоузельного типов обусловленного кинематическим фактором: преобладанием величины импульса атомов Si в направлении падения ионного пучка. Возможной причиной эффекта 2D самоорганизации нано-пузырей является неоднородное распределение упругих напряжений вокруг SiGe слоев. |
| Аннотация (на другом языке): | We report on self-assembled formation of spherically shaped voids in a Si/SiGe layered structure after 800 keV Ge ion implantation followed by rapid thermal annealing. The voids are of nanometer size and are solely assembled in thin SiGe quantum wells in the surface region (<Rp/2) of the implanted sample. The results are discussed in terms of the separation of the vacancy and interstitial depth profiles attributed to the preferential forward momentum of recoiling Si atoms. The strain situation around the SiGe quantum wells is suggested as a possible reason for the void self-assembling effect. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206853 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 111-113.pdf | 3,43 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.