Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28310| Title: | ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ |
| Authors: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Гиро, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2011 |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Abstract: | При имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал- лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши- риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об- разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал- лах SiGe. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28310 |
| Appears in Collections: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Покотило.pdf | 290,19 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.