Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/28310
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПокотило, Ю. М.-
dc.contributor.authorПетух, А. Н.-
dc.contributor.authorГиро, А. В.-
dc.date.accessioned2013-01-08T12:24:46Z-
dc.date.available2013-01-08T12:24:46Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011.ru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/28310-
dc.description.abstractПри имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал- лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши- риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об- разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал- лах SiGe.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2011. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Покотило.pdf290,19 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.