Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28310
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Покотило, Ю. М. | - |
dc.contributor.author | Петух, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Гиро, А. В. | - |
dc.date.accessioned | 2013-01-08T12:24:46Z | - |
dc.date.available | 2013-01-08T12:24:46Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28310 | - |
dc.description.abstract | При имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал- лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши- риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об- разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал- лах SiGe. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Покотило.pdf | 290,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.