Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/28310| Заглавие документа: | ФОРМИРОВАНИЕ СУБМИКРОННЫХ n+- СЛОЕВ В Si и SiGe, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ |
| Авторы: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Гиро, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2011 |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of Radiation with Solids: Материалы 9-й Междунар. конф., 20-22 сент. 2011 г. — Минск,2011. |
| Аннотация: | При имплантации протонов с энергией 300 кэВ и последующей термообработке 350 0С в течение 20 мин в кристал- лах Si и SiGe формируются низкоомные n+-слои. Форма профилей описывается гауссовым распределением с полуши- риной ∆Rp=0.49 и 1.38 мкм и концентрацией Н-доноров в максимуме Nmax=7.1015 и 4.2.1016 см-3 соответственно для об- разцов Si и SiGe. Обсуждаются причины снижения эффективности образования Н-доноров и уширения слоя в кристал- лах SiGe. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/28310 |
| Располагается в коллекциях: | 2011. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Покотило.pdf | 290,19 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.