Logo BSU

Просмотр Авторы Просолович, В. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 44 - 63 из 99 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2016О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2022Оптические и прочностные свойства жертвенных слоев на основе полиимидных пленокВабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.
14-апр-2009ОСНОВЫ СОВРЕМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ. №ТД-G.180/тип.Просолович, В. С.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2011ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ ОТЖИГЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2023Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60СoЛастовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Особенности имплантации ионов Р+, В+ и Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.
2003Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Самохвал, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Парамагнетизм и структурные свойства облученных ионами фосфора пленок полиэтилентерефталатаОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Неверовская, А. В.; Стародубец, Е. Е.
2019Парамагнетизм и структурные свойства облученных ионами фосфора пленок полиэтилентерефталатаОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Неверовская, А. В.; Стародубец, Е. Е.
2016Парамагнетизм модифицированных ионным облучением структур фоторезист-кремнийОджаев, В. Б.; Карпович, В. А.; Просолович, В. С.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.
2021Повышение эффективности промышленного кремниевого солнечного элемента легированием никелемБахадырханов, М. К.; Кенжаев, З. Т.; Исмайлов, Б. К.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2021Повышение эффективности промышленного кремниевого солнечного элемента легированием никелемБахадырханов, М. К.; Кенжаев, З. Т.; Исмайлов, Б. К.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2012ПРИМЕНЕНИЕ ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА «CRYSTMO/MARC» В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И ПРЕПОДАВАНИИВерезуб, Н. А.; Ильясов, Х. Х.; Простомолотов, А. И.; Просолович, В. С.
2019Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В.
14-июл-2023Радиационно-индуцированная модификация спектров отражения пленок диазохинонноволачного фоторезиста при имплантации ионов Ag+Харченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Бринкевич, С. Д.; Просолович, В. С.
2023Радиационно-индуцированные процессы в пленках негативного фоторезиста на монокристаллическом кремнииБринкевич, Д. И.; Гринюк, Е. В.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.
2020Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмыХарченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.
2020Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмыХарченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Оджаев, В. Б.; Янковский, В. Н.
2010Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.