Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305496
Заглавие документа: | Радиационно-индуцированная модификация спектров отражения пленок диазохинонноволачного фоторезиста при имплантации ионов Ag+ |
Другое заглавие: | Radiation-Induced Alteration of the Reflection Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films by Implantation of Ag+ Ions |
Авторы: | Харченко, А. А. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, С. Д. Просолович, В. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия |
Дата публикации: | 14-июл-2023 |
Издатель: | Pleiades Publishing, Ltd. |
Библиографическое описание источника: | Химия высоких энергий. – 2023. – Т. 57, № 6. – С. 465–471. |
Аннотация: | Методом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами Ag+ пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.5 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования. Показано, что ионная имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением плотности ρ и молекулярной рефракции RM фоторезиста. Установлено, что при увеличении дозы имплантации Ag+ в области непрозрачности фоторезистивной пленки наблюдается рост коэффициента отражения. Обнаруженные изменения оптических свойств пленок в условиях ионной имплантации объяснены с учетом особенностей радиационно-химических процессов в фенол-формальдегидном фоторезисте. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305496 |
ISSN: | 1608-3148 (Electronic) 0018-1439 (Print) |
DOI документа: | 10.31857/S0023119323060062 |
Финансовая поддержка: | Работа финансировалась в рамках государственной программы научных исследований “ГПНИ “Фотоника и электроника для инноваций”, 2021-2025 годы”, “Микро- и наноэлектроника”, № 20212560. |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
VEN0465.pdf | 376,42 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.