Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304313
Заглавие документа: | Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60Сo |
Другое заглавие: | Peculiarities of changing the barrier capacity of p-i-n-photodiodes under irradiation with 60Co γ-quanta / S.B. Lastovskii, V.B. Odzaev, A.N. Pyatlitski, V.S. Prosolovich, E.V.Tochilin, D.V. Shestovsky, V.Yu. Yavid, Y.N. Yankovsky |
Авторы: | Ластовский, С. Б. Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Точилин, Е. В. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2023 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 174-176. |
Аннотация: | Исследовано влияние γ-излучения 60Со на изменение барьерной ёмкости (Сб) p-i-n-фотодиодов на основе кремния. Приборы изготавливались на пластинах p-Si ориентации (100) с ρ = 1000 Ом·см, выращенных методом бестигельной зонной плавки. Область p+-типа создавалась имплантацией ионов B+ в непланарную сторону пластины, области n+-типа ‒ диффузией P в планарную сторону пластины. Облучение γ-квантами производилось от источника 60Со дозами до 1,5·10 15 квант/см2. Установлено, что в результате воздействия облучения γ-квантами при напряжении внешнего смещения Vобр ≤1 В происходит увеличение С б по сравнению с необлученными образцами. В то же время при Vобр в диапазоне от 1 В до 20 В величина C б после облучения снизилась по сравнению с исходной. Это обусловлено изменением в результате облучения размеров области обеднения: при напряжениях смещения менее 1 В она уменьшилась, а при Vобр свыше 1 В – возросла. Наблюдаемый эффект связан с изменением величины контактной разности потенциалов |
Аннотация (на другом языке): | The effect of gamma-radiation 60Co on the change in the barrier capacity (Cb) of p-i-n photodiodes based on Si is investigated. The devices were manufactured on plates of p-Si orientation (100) with p = 1000 Ohm·cm, grown by the method of non-melting zone melting. The p+-type region was created by implantation of B+ ions into the non-planar side of the plate, the n+-type region was created by diffusion of P into the planar side of the plate. γ-quanta irradiation was carried out from a 60Co source in doses up to 1.5·10 15 cm-2. A noticeable temperature dependence of the barrier capacitance (at a frequency of 1 kHz) is observed only at bias voltages not exceeding the contact potential difference (Vbi ≤ 1 V). It has been established that as a result of exposure to gamma-quanta at an external bias voltage VR ≤ 1 V, the barrier capacity increases compared to non-irradiated samples. At the same time, at VR in the range from 1 V to 20 V, the value of the barrier capacity after irradiation decreased compared to the initial one. This is due to the change in the size of the depletion region as a result of irradiation: at bias voltages of less than 1 V, it decreased, and at V R of more than 1 V, it increased. The observed effect is associated with a change in the magnitude of the contact potential difference due to the compensation of the main dopant in the base of the diode due to the generation of radiation defects |
Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304313 |
ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
174-176.pdf | 538,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.