Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Петлицкий, А. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 13 - 32 из 46 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Геттерирование неконтролируемых примесей в высокоомных пластинах кремнияЛемешевская, А. М.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Тарасик, М. И.; Цымбал, В. С.; Челядинский, А. Р.; Шестовский, Д. В.
2016Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник»Васильев, Ю. Б.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Садовский, П. К.; Тарасик, М. И.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.
2014Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методомСохраби, Анараки Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.
2018Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесейОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2019Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базыОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схемТявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2018Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование методом электротепловой спектрометрии деградации структуры теплового сопротивления транзисторов КП7209 в корпусе ТО-254 при воздействии высокоинтенсивных термоударовБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2018Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.
2022Контроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2018Материалы микро- и наноэлектроники №Уд-6213/уч.Петлицкий, А. Н.; Людчик, О. Р.
2019Материалы опто-, микро- и наноэлектроники : учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 1-31 80 07 Радиофизика. № УД-7552/уч.Петлицкий, А. Н.; Людчик, О. Р.
2016Методика электротепловой спектрометрии для исследования малых изменений теплового сопротивления полупроводниковых приборов при термоиспытанияхБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.
2023Моделирование влияния процессов генерации-рекомбинации на подвижность электронов в кремнииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н.
2022Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буйновский, Д. Н.; Петлицкий, А. Н.
2023Моделирование фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и pin-структуройБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
Результаты 13 - 32 из 46 < предыдущий   следующий >