Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/172117
Заглавие документа: Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник»
Другое заглавие: Impurites Gettering in Silicon and Metal – Oxide – Semiconductor Structure Parameters / Y. B. Vasiliev, V. B. Odzaev, A. K. Panfilenko, A. N. Petlitski, P. K. Sadovski, M. I. Tarasik, V. A. Filipenya, A. R. Chelyadinski
Авторы: Васильев, Ю. Б.
Оджаев, В. Б.
Панфиленко, А. К.
Петлицкий, А. Н.
Садовский, П. К.
Тарасик, М. И.
Филипеня, В. А.
Челядинский, А. Р.
Тема: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика
Дата публикации: 2016
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2016. - № 3. - С. 37-42
Аннотация: Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей на характеристики транзисторов со структурой «металл – окисел – полупроводник». На пластинах со сформированным геттером токи утечки структур «металл – окисел – полупроводник» площадью 1 ⋅ 10– 4 см2 при напряжении 5 В составляют от 1 ⋅ 10–14 до 1 ⋅ 10–13 А. На достаточно большом количестве (20 %) пластин без геттера наблюдается большой разброс величины тока утечки структур «металл – окисел – полу-проводник» в диапазоне от 5 ⋅ 10–14 до 4 ⋅ 10–5 А. Величина характеристического заряда пробоя для структур, содержащих слой геттера и не содержащих геттер, составляет 6,7 и 5,0 Кл/см–2 соответственно. Для структур без геттерного слоя в распределении Вейбулла характерен «хвост» с низкими значениями заряда пробоя. = The effect of the created getter layer on the metal – oxide – semiconductor transistor parameters has been studied. The leakage current of the metal – oxide – semiconductor structure with a getter layer is from 1 ⋅ 10–14 to 1 ⋅ 10–13 A at the voltage 5 V. For 20 % of the studied plates without getter the leakage current is varying within the range from 5 ⋅ 10–14 to 4 ⋅ 10–5 A. The characteristic breakdown charge of metal – oxide – semiconductor structures with and without getter is 6,7 and 5,0 Kl/cm–2, respectively. For metal – oxide – semiconductor structures without getter a «tail» with low breakdown charges in the Weibull distribution is characteristic.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/172117
ISSN: 1561-834X
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2016, №3 (сентябрь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
37-42.pdf467,78 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.