Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/172117
Заглавие документа: | Геттерирование примесей в кремнии и параметры структур «металл – окисел – полупроводник» |
Другое заглавие: | Impurites Gettering in Silicon and Metal – Oxide – Semiconductor Structure Parameters / Y. B. Vasiliev, V. B. Odzaev, A. K. Panfilenko, A. N. Petlitski, P. K. Sadovski, M. I. Tarasik, V. A. Filipenya, A. R. Chelyadinski |
Авторы: | Васильев, Ю. Б. Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Садовский, П. К. Тарасик, М. И. Филипеня, В. А. Челядинский, А. Р. |
Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Энергетика |
Дата публикации: | 2016 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2016. - № 3. - С. 37-42 |
Аннотация: | Исследовано влияние геттерирования неконтролируемых примесей на характеристики транзисторов со структурой «металл – окисел – полупроводник». На пластинах со сформированным геттером токи утечки структур «металл – окисел – полупроводник» площадью 1 ⋅ 10– 4 см2 при напряжении 5 В составляют от 1 ⋅ 10–14 до 1 ⋅ 10–13 А. На достаточно большом количестве (20 %) пластин без геттера наблюдается большой разброс величины тока утечки структур «металл – окисел – полу-проводник» в диапазоне от 5 ⋅ 10–14 до 4 ⋅ 10–5 А. Величина характеристического заряда пробоя для структур, содержащих слой геттера и не содержащих геттер, составляет 6,7 и 5,0 Кл/см–2 соответственно. Для структур без геттерного слоя в распределении Вейбулла характерен «хвост» с низкими значениями заряда пробоя. = The effect of the created getter layer on the metal – oxide – semiconductor transistor parameters has been studied. The leakage current of the metal – oxide – semiconductor structure with a getter layer is from 1 ⋅ 10–14 to 1 ⋅ 10–13 A at the voltage 5 V. For 20 % of the studied plates without getter the leakage current is varying within the range from 5 ⋅ 10–14 to 4 ⋅ 10–5 A. The characteristic breakdown charge of metal – oxide – semiconductor structures with and without getter is 6,7 and 5,0 Kl/cm–2, respectively. For metal – oxide – semiconductor structures without getter a «tail» with low breakdown charges in the Weibull distribution is characteristic. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/172117 |
ISSN: | 1561-834X |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2016, №3 (сентябрь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.