Logo BSU

Просмотр Авторы Янковский, Ю. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 21  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2017Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремниюПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Степнов, А. К.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2003Дефектообразование при совместной имплантации кремния лантаноидами и легирующими примесямиБринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2016Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистораОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А.
2010ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я.
2010Исследование структурных, механических и магнитных свойств неупорядоченных систем на основе монокристаллического кремния, легированного нетрадиционными примесями : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2012МИКРОТВЕРДОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВБринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Вабищевич, С. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2016Модификация структур фоторезист – кремний при высокоэнергетических воздействияхПросолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Янковский, Ю. Н.
2016О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.
2011ОСОБЕННОСТИ ДИФФУЗИИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПРИ ОТЖИГЕ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2003Отжиг радиационных дефектов в имплантированном ионами Yb+ кремнииБринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Самохвал, В. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В.
2010Разработать физико-технологические основы формирования легированных областей для субмикронных полупроводниковых приборов с использованием высокоэнергетической ионной имплантации и дополнительного введения нетрадиционных примесей в процессе эпитаксиального наращивания : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Петров, В. В.; Бринкевич, Д. И.
2015Разработка физико-технологических методов формирования и контроля электрофизических, оптических, механических и структурных характеристик функциональных наноструктур на основе кремния и его оксидов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.
2014Разработка физико-технологических методов формирования функциональных наноструктурированных материалов и нанокомпозитов на основе полупроводниковых монокристаллов и силикатных структур с прецизионно управляемыми оптическими, физико-механическими и электрофизическими свойствами : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. С. ПросоловичПросолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.; Петров, В. В.
2014Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К.
2015Разработка физико-технологических методов управления и контроля характеристиками переходных процессов и модификации дефектно-примесного состава функциональных слоев в базовых элементах субмикронных интегральных микросхем. ГПНИ «Электроника и фотоника», задание 1.1.12 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.
2011Разработка физических основ воздействия внешних факторов на процессы протекания твердофазных химических реакций в кремнии с целью прогнозирования процессов геттерирования технологических фоновых примесей : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; рук. Оджаев, В. Б.Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2012РАСЧЕТ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ С УЧЕТОМ ИХ АНИЗОТРОПИИ И ПЛАСТИЧНОСТИПростомолотов, А. И.; Захаров, Р. А.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2014Сквозное моделирование кремниевых диодов-генераторов шума для конструкторско-технологической оптимизацииБуслюк, В. В.; Дереченник, С. С.; Латий, О. О.; Янковский, Ю. Н.