Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/95276
Заглавие документа: | Numerical method for computer modeling of diffusion of implanted dopant atoms in silicon in modern VLSI technology |
Авторы: | Khina, B. B. Tsurko, V. A. Zayats, G. M. |
Тема: | ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика |
Дата публикации: | 2009 |
Издатель: | Минск, БГУ |
Аннотация: | An extended Jive-stream model Jor diffusion in silicon is presented. A finite-difference method for computer modeling of dopant diffusion during post-implantation annealing is developed. Conservative implicit finite-difference schemes are obtained using integration-interpolation method. The nonlinear algebraic equation describing the local electroneutrality condition is solved using the bisection method. The obtained nonlinear system of difference equations is solved by iterative method. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/95276 |
Располагается в коллекциях: | ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ И ИХ ПРИЛОЖЕНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ И УПРАВЛЕНИИ |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Untitled21.pdf | 187,97 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.