Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/89100| Title: | Влияние нагрева активной области на мощность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP |
| Authors: | Ушаков, Д. В. Афоненко, А. А. Алешкин, В. Я. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Минск: Изд. центр БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника: Материалы IX Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–21 нояб. 2013 г. – Минск, 2013. - С. 115-116. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/89100 |
| ISBN: | 978-985-553-157-0 |
| Appears in Collections: | 2013. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 115-116.pdf | 647,24 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.