Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/89100Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ушаков, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Афоненко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Алешкин, В. Я. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-01-20T10:56:59Z | - |
| dc.date.available | 2014-01-20T10:56:59Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника: Материалы IX Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–21 нояб. 2013 г. – Минск, 2013. - С. 115-116. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-157-0 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/89100 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск: Изд. центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Влияние нагрева активной области на мощность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Appears in Collections: | 2013. Квантовая электроника | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 115-116.pdf | 647,24 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

