Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/89100| Заглавие документа: | Влияние нагрева активной области на мощность генерации в лазерной структуре Ga0.8In0.2As/GaAs/GaInP |
| Авторы: | Ушаков, Д. В. Афоненко, А. А. Алешкин, В. Я. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2013 |
| Издатель: | Минск: Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника: Материалы IX Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–21 нояб. 2013 г. – Минск, 2013. - С. 115-116. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/89100 |
| ISBN: | 978-985-553-157-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 115-116.pdf | 647,24 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.