Температурная зависимость фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур Si/SiGe

Abstract

Кремний является непрямозонным материалом и, поэтому, имеет лишь ограниченное применение в оптоэлектронике. Вместе с тем, разви- тие микро- и наноэлектроники стимулирует поиск новых методов увели- чения излучательной способности Si и Si-совместимых материалов. Из- вестно [1], что дефекты и неоднородности структуры могут приводить к существенному изменению оптических свойств полупроводников. Так, дислокации в кремнии приводят к появлению характерного спектра фо- лолюминесценции (ФЛ) [2], состоящему, как правило, из четырех спек- тральных линий: D1 (0.81 эВ), D2 (0.87 эВ), D3 (0.94 эВ) и D4 (1 эВ).