Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7651Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Дмитрук, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-05-02T10:54:13Z | - |
| dc.date.available | 2012-05-02T10:54:13Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7651 | - |
| dc.description.abstract | Кремний является непрямозонным материалом и, поэтому, имеет лишь ограниченное применение в оптоэлектронике. Вместе с тем, разви- тие микро- и наноэлектроники стимулирует поиск новых методов увели- чения излучательной способности Si и Si-совместимых материалов. Из- вестно [1], что дефекты и неоднородности структуры могут приводить к существенному изменению оптических свойств полупроводников. Так, дислокации в кремнии приводят к появлению характерного спектра фо- лолюминесценции (ФЛ) [2], состоящему, как правило, из четырех спек- тральных линий: D1 (0.81 эВ), D2 (0.87 эВ), D3 (0.94 эВ) и D4 (1 эВ). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Температурная зависимость фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур Si/SiGe | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.