Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7333| Title: | Расчет концентрации электронов в квантовой яме гетероструктуры AlxGai.xAs /GaAs |
| Authors: | Борздов, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУ |
| Abstract: | В последние годы особенно большое внимание в микроэлектронике уделяется низкоразмерным системам. В таких системах движение носителей заряда ограничено в некоторых направлениях потенциальными барьерами. Движение носителя заряда можно считать ограниченным, если он локализован в области, ширина которой сравнима с его длиной волны де Бройля в данных условиях. В направлении, в котором движение носителей заряда ограничено, происходит квантование их энергии. В данной работе рассматривается двумерный электронный газ, находящийся в одномерной квантовой яме гетероструктуры AlxGai-xAs. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7333 |
| Appears in Collections: | Статьи |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.