Расчет концентрации электронов в квантовой яме гетероструктуры AlxGai.xAs /GaAs

Борздов, А. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/7333

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Борздов, А. В.	-
dc.date.accessioned	2012-04-25T08:28:30Z	-
dc.date.available	2012-04-25T08:28:30Z	-
dc.date.issued	2003	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/7333	-
dc.description.abstract	В последние годы особенно большое внимание в микроэлектронике уделяется низкоразмерным системам. В таких системах движение носителей заряда ограничено в некоторых направлениях потенциальными барьерами. Движение носителя заряда можно считать ограниченным, если он локализован в области, ширина которой сравнима с его длиной волны де Бройля в данных условиях. В направлении, в котором движение носителей заряда ограничено, происходит квантование их энергии. В данной работе рассматривается двумерный электронный газ, находящийся в одномерной квантовой яме гетероструктуры AlxGai-xAs.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	БГУ	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Расчет концентрации электронов в квантовой яме гетероструктуры AlxGai.xAs /GaAs	ru
Appears in Collections:	Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
1.pdf		133,68 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar