Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7333Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-04-25T08:28:30Z | - |
| dc.date.available | 2012-04-25T08:28:30Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7333 | - |
| dc.description.abstract | В последние годы особенно большое внимание в микроэлектронике уделяется низкоразмерным системам. В таких системах движение носителей заряда ограничено в некоторых направлениях потенциальными барьерами. Движение носителя заряда можно считать ограниченным, если он локализован в области, ширина которой сравнима с его длиной волны де Бройля в данных условиях. В направлении, в котором движение носителей заряда ограничено, происходит квантование их энергии. В данной работе рассматривается двумерный электронный газ, находящийся в одномерной квантовой яме гетероструктуры AlxGai-xAs. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Расчет концентрации электронов в квантовой яме гетероструктуры AlxGai.xAs /GaAs | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.