Preview	Issue Date	Title	Author(s)
	2013	Поляризационные эффекты и амплитудная модуляция квантоворазмерных гетеролазеров 1.5 мкм-диапазона	Кононенко, В. К.; Кунцевич, Б. Ф.
	2009	Метод интегрального уравнения для анализа проволочных антенн, покрытых слоем идеального магнетика	Демидчик, Валерий Иосифович; Корнев, Руслан Владимирович
	2007	Методика оценки эффективных параметров композитов с проволочными металлодиэлектрическими включениями	Демидчик, В. И.; Сицко, Н. Ю.
	13-Dec-2012	Адаптивная фильтрация – сложившееся научно-техническое направление в цифровой обработке сигналов (презентация)	Джиган, В. И.
	13-Dec-2012	Оптоэлектронные приборы и методы для аэрокосмических исследований	Хвалей, С. В.; Беляев, Б. И.; Сосенко, В. А.; Домарацкий, А. В.; Катковский, Л. В.
	2008	Особенности кинетических процессов в активных средах CO2-лазеров с быстрой прокачкой	Невдах, В. В.
	2003	Сверхразрешение сканирующих оптико-электронных систем	Марченко, В. В.
	2003	Критерии энтропии и динамизма в задачах классификации речевых и аудиодокументов	Хейдоров, И. Э.; Лукашевич, А. М.; Митрофанов, Д. Л.
	2003	Использование силомоментных датчиков в системах управления манипуляторами	Щербак, И. Н.
	2003	Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAs	Борздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.
	2003	Стойкость к окислению резистов, полученных методом внедрения ионов в металлические матрицы на ситалловой подложке	Комаров, Ф. Ф.; Поздеева, Т. В.; Колковский, В. И.
	2003	Синтез антенно-фидерных устройств на основе нерегулярных волноводов	Рудницкий, А. С.
	2003	Анализ свойств интегрального уравнения для тонких проводников с диэлектрическим покрытием	Демидчик, В. И.; Сицко, Н. Ю.
	2007	Temperature effect on electron transport in conventional short channel MOSFETs: Monte Carlo simulation	Zhevnyak, Oleg
	2007	Monte Carlo study of influence of channel length and depth on electron transport in SOI MOSFETs	Zhevnyak, Oleg; Borzdov, V. M.; Borzdov, Andrey; Pozdnyakov, Dmitry; Komarov, F. F.
	2009	Monte Carlo simulation of electron transport in deep submicron MOSFETs with three 40 nm gates	Zhevnyak, O. G.; Borzdov, A. V.; Speransky, D. S.; Borzdov, V. M.
	2009	Эффекты влияния стока на электрический потенциал в инверсионном слое кремния в короткоканальных МОП-транзисторах	Жевняк, О. Г.
	2010	Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторах	Жевняк, О. Г.
	2011	Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стоками	Жевняк, О. Г.
	2009	Features of the Pulsed Treatment of Silicon Layers Implanted with Erbium Ions	Batalov, R. I.; Bayazitov, R. M.; Nurutdinov, R. M.; Kryzhkov, D. I.; Gaiduk, P. I.; Marques, C. P.; Alves, E.