Просмотр "Статьи" Темы ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Результаты 1 - 10 из 15
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2015 | Acoustic response to the action of nanosecond laser pulses on an In/CdTe thin-film heterostructure | Vlasenko, A.I.; Veleshchuk, V.P.; Gnatyuk, V.A.; Levitskii, S.N.; Vlasenko, Z.K.; Ivlev, G.D.; Gatskevich, E.I. |
| 2024 | Annealing Effect on Structural, Optical and Electrophysical Properties of ZnSe Nanocrystals Synthesized into SiO2/Si Ion Track Template | Akylbekova, A.; Dauletbekova, A.; Baimukhanov, Z.; Vlasukova, L.A.; Usseinov, A; Saduova, N.; Akilbekov, A.T.; Pankratov, V.A.; Popov, A.I. |
| 2006 | Formation of Light Emitting Iron Disilicide/Silicon Heterostructures by Means of Pulsed Ion and Laser Beams | Batalov, R. I.; Bayazitov, R. M.; Nurutdinov, R. M.; Shmagin, V. B.; Krizhkov, D. I.; Ivlev, G. D.; Gaiduk, P. I.; Dezsi, I.; Kotai, E. |
| 2015 | Light emission from silicon with tin-containing nanocrystals | Roesgaard, So.; Chevallier, J.; Gaiduk, P.I.; Hansen, J.L.; Jensen, P.B.; Larsen, A.N.; Svane, A.; Balling, P.; Julsgaard, B. |
| 2009 | Monte Carlo simulation of electron transport in deep submicron MOSFETs with three 40 nm gates | Zhevnyak, O. G.; Borzdov, A. V.; Speransky, D. S.; Borzdov, V. M. |
| 2007 | Monte Carlo study of influence of channel length and depth on electron transport in SOI MOSFETs | Zhevnyak, Oleg; Borzdov, V. M.; Borzdov, Andrey; Pozdnyakov, Dmitry; Komarov, F. F. |
| 2007 | Temperature effect on electron transport in conventional short channel MOSFETs: Monte Carlo simulation | Zhevnyak, Oleg |
| 2005 | Измерение атмосферного давления и температуры в рамках проекта "Электронный дом" | Свороб, К. А. |
| 2005 | Исследование сегрегации Gе и Sn в структуре SIO2/SI | Прокопьев, С. Л.; Новиков, А. Г.; Яцко, К. В. |
| 2005 | Контроль примесей при магнетронном осаждении пленочных покрытий с помощью малогабаритного спектрометра | Кулешов, В. Н. |