Исследование сегрегации Gе и Sn в структуре SIO2/SI

Abstract

Кремний является базовым материалом современной микроэлектроники, что связано с удачным сочетанием ряда физических и технологических параметров. Вместе с тем, дальнейшее развитие кремниевой микроэлектроники требует, в частности, поиска новых способов внутрисхемных коммуникаций. Одним из возможных путей решения этой проблемы является использование оптоэлектронных элементов. Кремний является непрямозонным материалом с низким квантовым выходом, поэтому в настоящее время ведется интенсивный поиск новых прямозонных материалов, совместимых с кремниевой технологией.