Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/6115| Заглавие документа: | Влияние содержания алюминия в барьерном слое AlxGa1–xAs на дрейфовую скорость электронов в квантовой проволоке на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs |
| Авторы: | Борздов, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | янв-2008 |
| Издатель: | БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2008. - N 1. - С. 51-54. |
| Аннотация: | Electron transport in GaAs/AlxGa1–xAs gated quantum wire is studied by means of ensemble Monte-Carlo simulations at T = 300 K. The influence of alloy composition x on electron drift velocity is investigated for different values of longitudinal electric field and gate biases applied to the structure. = Представлены результаты моделирования методом Монте-Карло переноса электронов в квантовой проволоке с двумя затворами на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs при температуре 300 К. Исследовано влияние состава AlxGa1–xAs на величину установившейся дрейфовой скорости электронов в структуре при различных значениях продольного электрического поля и затворного напряжения. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/6115 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2008, №1 (январь) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| pages 51-54 from Вестник_БГУ_Январь_2008_Серия1_№1.pdf | 2,3 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.