Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/6115| Title: | Влияние содержания алюминия в барьерном слое AlxGa1–xAs на дрейфовую скорость электронов в квантовой проволоке на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs |
| Authors: | Борздов, А. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | Jan-2008 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2008. - N 1. - С. 51-54. |
| Abstract: | Electron transport in GaAs/AlxGa1–xAs gated quantum wire is studied by means of ensemble Monte-Carlo simulations at T = 300 K. The influence of alloy composition x on electron drift velocity is investigated for different values of longitudinal electric field and gate biases applied to the structure. = Представлены результаты моделирования методом Монте-Карло переноса электронов в квантовой проволоке с двумя затворами на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAs при температуре 300 К. Исследовано влияние состава AlxGa1–xAs на величину установившейся дрейфовой скорости электронов в структуре при различных значениях продольного электрического поля и затворного напряжения. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/6115 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2008, №1 (январь) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| pages 51-54 from Вестник_БГУ_Январь_2008_Серия1_№1.pdf | 2,3 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.